半导体性能纯度检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.化学纯度检测：主成分含量，痕量杂质含量，金属杂质含量，非金属杂质含量，残留污染物含量。

2.元素组成分析：元素种类识别，元素含量测定，表面元素分布，深度元素分布，微区元素分析。

3.电学性能检测：电阻率，方块电阻，电导率，载流子浓度，载流子迁移率。

4.晶体质量检测：晶向偏差，晶格完整性，位错密度，缺陷分布，晶体均匀性。

5.表面性能检测：表面粗糙度，表面洁净度，表面缺陷，表面颗粒污染，表面氧化状态。

6.薄膜特性检测：膜层厚度，膜层均匀性，膜层成分，膜层致密性，界面结合状态。

7.热学性能检测：热导率，热扩散性能，热稳定性，热膨胀特性，耐热循环性能。

8.力学性能检测：硬度，弹性模量，脆性特征，抗裂性能，附着性能。

9.光学性能检测：透过特性，反射特性，吸收特性，带隙相关特性，表面光学均匀性。

10.杂质分布检测：体内杂质分布，表层杂质分布，界面杂质富集，扩散深度，污染迁移特征。

11.缺陷分析检测：微裂纹，空洞，夹杂，层间异常，局部失效区域识别。

12.离子污染检测：可溶性离子含量，表面离子残留，清洗后离子残余，无机离子种类，离子污染水平。

检测范围

半导体硅片、单晶硅、多晶硅、外延片、掺杂硅片、砷化物材料、氮化物材料、碳化物材料、氧化物薄膜、金属薄膜、绝缘薄膜、光刻后样品、刻蚀后样品、沉积后样品、抛光片、晶圆边缘样品、封装前芯片、基底材料、靶材、电子级化学品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定半导体材料中的痕量金属杂质和超低含量元素，适用于高纯度样品分析。

2.辉光放电质谱仪：用于固体样品整体元素杂质分析，可实现多元素同时测定，适合高纯材料纯度评价。

3.四探针电阻测试仪：用于测量材料电阻率和方块电阻，适合晶圆及薄膜电学性能表征。

4.霍尔效应测试系统：用于分析载流子浓度、迁移率及导电类型，是半导体电学参数测定的重要设备。

5.扫描电子显微镜：用于观察表面形貌、颗粒污染和微观缺陷，可对局部区域进行细致结构分析。

6.原子力显微镜：用于测定表面粗糙度和微纳结构形貌，适合高精度表面状态评价。

7.射线衍射仪：用于分析晶体结构、晶向特征和结晶质量，可评估材料相组成与结构完整性。

8.二次离子质谱仪：用于检测杂质元素的深度分布和界面成分变化，适合掺杂分布与污染迁移分析。

9.椭偏测厚仪：用于测定薄膜厚度、光学常数和膜层均匀性，适合多种半导体薄膜检测。

10.表面轮廓仪：用于测量膜层厚度、台阶高度和表面起伏特征，可辅助评估加工质量与表面状态。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质